国产芯突破　“离子注入”工艺覆盖28纳米

　　图：中国电科旗下电科装备科技人员对研製成功的离子注入离子注入机进行相关测试。/中新社

　　【大公报讯】据中通社报道：中国电子科技集团17日公布，国产盖纳旗下子集团攻克“卡脖子”技术，芯突已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，破工包括中束流、艺覆大束流、离子注入高能、国产盖纳特种应用及第三代半导体等离子注入机，芯突工艺段覆盖至28nm（纳米）。破工

　　为全球芯企提供一站式方案

　　离子注入指的艺覆是将单晶矽改性成需要的半导体类型，因为半导体对离子浓度非常敏感，离子注入所以离子注入数量精度要求很高，国产盖纳需要专用的芯突设备和材料。据报道，破工中国电子科技集团的艺覆技术突破，为中国芯片製造产业链补上重要一环，为全球芯片製造企业离子注入机提供一站式解决方案。

　　美国对中国进行技术封杀，其中芯片製造环节是中国最严重的“卡脖子”问题，中国通信公司华为、中芯等企业均受到影响。芯片工艺段覆盖至28纳米，可缓解中国芯片製造领域断链、短链难题。